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铌酸锂晶体LiNbO3
浏览量:125 上传更新:2017-09-20
铌酸锂晶体LiNbO3

铌酸锂晶体LiNbO3lnwafer

铌酸锂晶体

掺氧化镁铌酸锂晶体
掺铁铌酸锂晶体
其他掺杂光学级铌酸锂晶体

铌酸锂晶体

Hobbite 可以根据客户要求提供各种级别的原片或者小片(含波导级)

随时期待您的问询,问询邮件至 sales@hobbite.net 

生长方法提拉法
晶体结构三方
晶格常数a=b=5.148Å
c=13.863 Å
密 度4.64g/cm3
硬 度5(mohs)
熔 点1250℃
居里温度1140℃
光谱透过波长0.4~2.9um
折 射 率no=2.286 ne=2.203 (632.8nm)
非线性系数d33=34.45,d31=d15=5.95,d22=13.07 (pmv-1)
电光系数γ13=8.6,γ22=3.4,γ33=30.8,γ51=28.0,γ22=6.00(pmv-1)
光谱透过范围
透过率
370~5000nm >68% (632.8nm)
热膨胀系数a11=15.4×10-6/k,a33=7.5×10-6/k

产品规格:

尺 寸任何等于或小于Ø6″

表面质量

10/5
尺寸公差Z轴: ±0.3mm
X轴、Y轴:±0.1mm

平 面 度

v8 (632.8nm)
倒 角小于0.5mm,45 º±5 º

镀 膜

R<0.2%(1064nm)
晶向精度Z轴: 5′
X、Y轴:<10′

波前畸变

<N4(633nm)
平 行 度<10′

消 光 比

>400:1(633nm)φ6mm光束

掺氧化镁铌酸锂晶体

用途

MgO:LiNb03晶体被广泛用于倍频和光参量振荡,也可以用来加工电光 Q 开关。

特点

Mg0:LiNbO3晶体可以承受很高的功率而没有光折射率损伤。

尺寸

Q 开关元件尺寸一般为 9 × 9 × 25mm ,其中 9 × 9mm 是通光面。倍频元件尺寸一般为 5 × 5 × 12mm ,其中 5 × 5mm 是通光面。产品尺寸也可以根据用户要求确定。
                                光学质量无生长条纹,双折射率梯度一般为 10-5/cm

相位匹配

 I 类,临界或非临界。对非临界区配 Tpm 在 100℃ 左右。

类型

对临界匹配,在 80℃ 左右,对 1064nm-532nm 。

镀膜

对倍频,两光学面对 1064nm 和 532nm 双波长增透,对 Q 开关,两光学面对 1064nm 增透。

掺铁铌酸锂晶体

用途

Fe:LiNbO3晶体用于光学存储

光学质量

无生长条纹,双折射率梯度一般为 10-5/cm

尺寸

按需求提供

44ad076525a04631eca1d035d71670c9_310_0_max_jpeg其他掺杂光学级铌酸锂晶体

按需定制晶体

概述-基本信息

中文名称:铌酸锂

英文别名:Lithium niobate wafer; lithium niobium trioxide; rubidium oxido(dioxo)niobium; distrontium; niobium(+5) cation; oxygen(-2) anion; lithium oxido(dioxo)niobium

CAS:12031-63-9

EINECS:234-755-4

化学性质

铌酸锂晶体简称LN,属三方晶系,钛铁矿型(畸变钙钛矿型)结构。相对密度4.30,晶格常数a=0.5147 nm,c=1.3856 nm,熔点1240℃,莫氏硬度5,折射率n0=2.297,ne=2.208(λ=600 nm),介电常数ε=44,ε=29.5,ε=84,ε=30,一次电光系数γ13=γ23=10×10pm/V,γ33=32×10pm/V.Γ22=-γ12=-γ61=6.8×10pm/V,非线性系数d31=-6.3×1p0 m/V,d22=+3.6×10pm/V,d33=-47×10pm/V。铌酸锂是一种铁电晶体,居里点1140℃,自发极化强度50×10C/cm’。经过畸化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等多性能的材料,同时具有光折变效应。

生产方法

提拉法以碳酸锂、五氧化二铌为原料制备铌酸锂:将碳酸锂和五氧化二铌放入铂金坩埚中,沿(001)方向生长晶体。为得到优质无色透明圆柱体,必须在晶体生长的两个方向的两个端面的温度略高于居里温度时,再加一个适当大小的电场,形成晶体后将晶体冷却至室温,即制得铌酸锂晶体。

或其他方法:

用途

在微波技术中用于调Q开关、光电调制、倍频、光参量振荡;掺加一定量的铁和其他金属杂质的LN晶体,可用作全息记录介质材料。也用于相位调解器、非挥发性存储器、二次谐波发生器、相位光栅调解器、大规模集成光学系统。还广泛用于红外探测器、高频宽道带滤波器等。

相关延伸

电光效应是指对晶体施加电场时,晶体的折射率发生变化的效应。有些晶体内部由于自发极化存在着固有电偶极矩,当对这种晶体施加电场时,外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种优势取向,因此,必然改变晶体的折射率,即外电场使晶体的光率体发生变化。在光通讯中,电-光调制器就是利用电场使晶体的折射率改变这一原理制成的。电光晶体位于起偏镜和检偏镜之间,在未施加电场时,起偏镜和检偏镜相互垂直,自然光通过起偏镜后检偏镜挡住而不能通过。施加电场时,光率体变化,光便能通过检偏镜。通过检偏镜的光的强弱由施加于晶体上的电压的大小来控制,从而实现通过控制电压对光的强弱进行调制的目的。



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